Der Chipmaker Qualcomm hat seinen nächsten SoC für die kommende Highend-Klasse angekündigt. Der Snapdragon 835 wird auf der 10-nm-Technologie aufgebaut sein, Quick Charge 4.0 unterstützen und die bisherigen Platzhirsche Snapdragon 820 und 821 ersetzen.
Vermutlich wurden intern ein paar Entwürfe in die Tonne getreten, anders ist nicht zu erklären, dass nach Snapdragon 820 und 821 nun der Snapdragon 835 folgen wird. Der Chip wurde heute vom amerikanischen Halbleiterhersteller präsentiert und soll bereits Anfang nächstes Jahr in den ersten Geräten zu finden sein. Bislang gibt es nur wenige Informationen, doch soll er anstatt auf der 14-nm-Bauart auf der performanteren und energieeffizienteren 10-nm-Bauart basieren. Der Chip wurde zusammen mit Samsung entwickelt und soll gegenüber den Vorgängern 27 Prozent mehr Leistung bei 40 Prozent weniger Stromverbrauch bieten. Das sind bis jetzt natürlich nur Zahlen, wie gut er tatsächlich ist, müssen dann wohl die ersten Smartphones auf dem Prüfstand zeigen.
Schneller, besser, sicherer
Zudem läutet er die nächste Generation von Quick Charge ein. Quick Charge 4.0 soll in nur „5 Minuten Laden 5 Stunden Benutzung“ ermöglichen, insgesamt 20 Prozent schneller und 30 Prozent effizienter sein. Weiterhin ist es mit mehr USB Typ-C-Kabeln kompatibel, Google neuen Spezifikationen für USB Typ-C-Laden und so exaktere Messungen von Spannung, Stromstärke und Temperatur ermöglichen, dadurch die Geräte vor Schäden durch Überladung schützen.
